封装料性能评价方法

essz2013

封装料性能评价方法具体流程如下：
1 j' s' v" E9 H: _& u, K光透过率：在贴PET膜的2块玻璃棒的间隙中灌注封装料，100度烘箱中加热2小时。再于120度及140度分别加热2小时，制成厚度5mm的样板，用分光光度计测其波长470nm处的透过率为90%。
# I; A/ Y7 @9 z3 W4 e耐紫外光性：将测光透过率的样板置于UV试验箱中，在63度下用UV照射1000小时，测其波长470nm处的透光率，与初期光透光率比较，保持率100%。
耐热性：将测光透光率的样板置于烘箱中150度热老化2小时后取出，测其波长470nm处的透过率，与初期光透光率比较，保持率93%。
抗开裂性及焊料耐热冲击性：直径5mm、深0.5mm的金属模具中涂布脱模剂，放入2mm*2mm*0.2mm的蓝宝石基板，并注入配制的封装料，100度烘箱中加热2小时后，再于120度及140度烘箱中各加热2小时，脱模，制成耐开裂性及焊料耐热冲击性测试试件。硅胶制品厂将10个试件在30度、相对湿度70%环境中放置7d后，在180度至200度下预热120秒，再放入260度的焊料中泡10秒，在氮气流保护下泡3次，最后在显微镜下观察试件开裂的情况，10个试件都无开裂。将10个试件在零下40度、300min及100度、30min条件下，作100次循环，显微镜下观察10个试件都无开裂。
, R; T) [6 D: @$ ~4 A; F线胀系数的测定：涂有脱模剂的2块不锈钢板的间隙中灌注封装料，100度烘箱中加热2小时，再于120度及140度分别加热2小时，制成厚度1mm的样板，用分析仪以升温速度5度没分钟测其30度至150度的线胀系数。
; f0 r, C; o9 l& lLED的封装：半导体发光芯片在基板上固定后，可以用丝网印刷涂布、浇注、注射成型等方法进行封装，半导体芯片上分装料的厚度应在0.1mm以上，上限可根据LED的用途设定。可以选用热风循环、红外线、高频等方法加热固化，固化条件为80度至250度下30秒至15小时。为减缓固化过程中固化物的内应力，可以在80度至120度下0.5至5小时预固化，再在120度至180度下0.1至15小时固化，为加快固化速度，也可以在150度至250度下30秒至30分装固化